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B772


SI PNP Transistor
GFX
UCE/UCB -30/-40V
IC -3A
hFE 60-400
Ptot 10W
fT 80MHz
TJ 150°C
der B772 ist ein Silizium PNP Transistor, Uce = 30V, Ic = 3A, Anwend: unterer Frequenzbereich, Schalttransistor, NF- Leistungsverstärker
Photo: -
Quelle: KSB772
Erweiterte Informationen zu B772
OEM:Samsung Elec... [mehr]
Samsung Electronics CO. LTD.
Gehäuse: TO-126
B772 Datenblatt (jpg):verfügbar
B772 Datenblatt (pdf):-
OEM Datenblatt:-
Komplementär Typ: ↑KSD882
Ähnliche Typen:-
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Komplementär Typ zu B772
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IC 3A
hFE 60-400
Ptot 10W
fT 90MHz
TJ -
der KSD882 ist ein komplementärer Silizium NPN Transistor, Uce = 30V, Ic = 3A, Anwend: langsamer Schalttransistor, NF- Leistungsverstärker
Photo: -
Quelle: Samsung Semic. Technical...... [mehr]
Samsung Semic. Technical Product Inf. 1995 (CD)
Komplementärtyp: KSD882
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